Ces études sont synthétisées par un article séminal qui détaille notamment les propriétés structurales et électroniques de l’interface ‘prototype’ formée in situ sous ultra-vide en déposant par épitaxie par jets moléculaires de l’argent sur la surface (111) d’un substrat de silicium monocristallin (système Ag/Si(111)) [1].
La carrière scientifique de Guy Le Lay se dirige ensuite vers l’exploration de nouveaux mondes atomiques en deux dimensions. Si le graphène avait ouvert une brèche dans la recherche sur les matériaux bidimensionnels, Guy Le Lay y a vu un horizon bien plus vaste. Il s’est alors attaché à donner corps à des matériaux inédits issus des éléments du groupe IV, que l’on a baptisés xènes. La réalisation expérimentale du silicène en 2012 par solution du problème inverse, en renversant la situation à la façon d’Alice traversant le miroir (système Si/Ag(111)), est une révolution extrêmement féconde [2]. Ce système en effet permettait de mettre en évidence pour la première fois une forme du silicium bidimensionnel sous une forme de type graphite, semi-métallique (hybridation sp2).
Depuis la création du Grand Prix pour la Science en 1998, Guy Le Lay est le troisième lauréat français, après Albert Fert en 2007 (Prix Nobel de Physique la même année) et Jean-Marie Dubois (CNRS, Nancy), spécialiste des alliages métalliques complexes, notamment des quasicristaux, en 2016.
La cérémonie de remise du prix aura lieu lors du Congrès International du Vide à Sydney, en Australie, du 15 au 19 septembre 2025. À cette occasion, Guy Le Lay aura l’opportunité de présenter ses recherches lors d’une Conférence Honorifique.
Guy Le Lay avait précédemment obtenu en 2021 le Prix et la Médaille Fernand Holweck, décernés par l’Institute Of Physics (Royaume Uni et Irlande) et la Société Française de Physique, en reconnaissance de son rôle de pionnier dans l’étude des nouveaux allotropes bidimensionnels de silicium, de germanium, d’étain et de plomb.
La reconnaissance internationale de Guy Le Lay est fortement établie : il a été Professeur Invité pour de longues périodes sur plusieurs continents, à des universités prestigieuses, notamment à Princeton University aux USA, à Tokyo University et Nagoya University au Japon, à Chalmers University of Technology, et au Royal Institute of Technology en Suède, à l’Institut de Science des Matériaux de Madrid (ICMM-CSIC) et à l’Institut sur la Structure de la Matière de Rome (ISM-CNR), au Laboratoire pour l’Utilisation du Rayonnement Electromagnétique (LURE, Orsay).

[1] G. Le Lay, ‘Physics and Electronics of the Noble-Metal/Elemental-Semiconductor Interface Formation : a Status Report’, Surface Sci., 132 (1983) 169.
[2] P. Vogt, P. De Padova, C. Quaresima, J. Avila, E. Frantzeskakis, M.C. Asensio, A. Resta, B. Ealet, and G. Le Lay, ‘Silicene : Compelling Evidence for Graphenelike Two-Dimensional Silicon’, Phys. Rev. Lett., 108 (2012) 155501.