Les formations

Formation Procédés   DÉPOT PAR COUCHE ATOMIQUE (ALD, ATOMIC LAYER DEPOSITION)



P2
  • Date début : 15/10/2020
    Date fin : 16/10/2020
  • Durée : 2 jours ((14 heures))
  • Lieu :

    SFV Paris et Institut Photovoltaïque d’Ile de France (Palaiseau)

  • Prix adhérent : 850
    Non adhérent : 950
  • Les "plus" : 25%
  • Niveau : I-II-III
  • Documents remis :
    Poly des cours
  • Animateur :

    Nathanaelle SCHNEIDER

  • Intervenant(s) :

    Mikhael BECHELANY
    Stéphane DANIELE
    Arnaud MANTOUX
    Catherine MARICHY
    David MUNOZ-ROJAS


Objectifs

La technologie de dépôt par couche atomique (ALD – Atomic Layer Deposition) est un procédé de dépôt de couches minces à basse température adapté à des substrats de taille et nature variés. Les procédés ALD permettant d’obtenir des matériaux de haute qualité avec une grande homogénéité et un contrôle de l’épaisseur au niveau (sub)nanométrique, ils sont utilisés pour le dépôt de couches minces fonctionnelles ou multifonctionnelles : couches optiques, barrières, dures, isolantes, conductrices, décoratives... dans diverses applications. Ce stage de 2 jours est destiné aux techniciens, ingénieurs ou chercheurs, qui souhaitent avoir un panorama des principes, ainsi que des potentiels et opportunités offerts par ce procédé, et être en mesure de mettre au point le procédé le mieux adapté pour une application donnée.

Pré-requis

Connaissance de base en physique et chimie (niveau bac+3) ou expérience pratique professionnelle en procédés physico-chimiques ou procédés couches minces.

Programme

Les deux jours de formation se partageront entre 1,5 jour de cours et une demi-journée de travaux pratiques. Les cours couvriront les aspects théoriques et techniques de l’ALD, du choix du précurseur à ses outils de caractérisation (in-situ et ex-situ) relatifs. Les nombreuses applications de l’ALD seront illustrées par des exemples concrets, avec un focus constant sur les opportunités et les challenges de cette technique. L’étude pratique d’un dépôt de couches minces (0.5 jour) aura lieu au sein de l’Institut Photovoltaïque d’Ile-de-France. Du temps sera réservé pour des échanges entre formateurs et stagiaires afin de répondre aux questions et problèmes concrets des stagiaires.

Cours : 1,5 jours

  • Principe général et notions fondamentales de l’ALD. Exemples d’applications en micro-électronique
  • Introduction sur les pré-requis d’un précurseur et notions de chimie moléculaire pour appréhender le choix d’un précurseur ALD
  • Techniques de caractérisation in-situ et leur utilisation pour l’étude des procédés et mécanismes réactionnels. Exemple s applicatifs pour les capteurs, l’optique et la photonique.
  • Techniques de caractérisation des matériaux minces ALD. Matériaux de grands rapports d’aspects et applications liés à l’énergie et à l’environnement (membrane)
  • Nouveaux procédés et réacteurs pour l’ALD : plasma-enhanced ALD, fast-ALD, Molecular Layer deposition et Area-selective ALD.

Travaux pratiques : 0,5 jour
Les notions présentées dans les cours seront mises en pratique par des expériences de dépôt de couches minces par Atomic Layer Deposition pour le photovoltaïque et leur caractérisation in-situ (microbalance à cristal de quartz) et ex-situ. Ces expériences permettront aux stagiaires d’aborder de façon concrète les paramètres permettant de contrôler les structures et propriétés des couches minces déposées.