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Les formations

Formation Procédés   PVD – MAGNÉTRON – ÉVAPORATION – MBE



P4
  • Date début : 15/05/2018
    Date fin : 17/05/2018
  • Durée : 3 jours (21 heures)
  • Lieu :

    Université de Lorraine
    Institut Jean Lamour
    Campus ARTEM, Nancy

  • Prix adhérent : 1 550 €
    Non adhérent : 1 650 €
  • Les "plus" : 60 % TP
  • Niveau : I-II-III
  • Documents remis :
    Texte des cours
  • Animateur :

    Stéphane ANDRIEU
    stephane.andrieu@univ-lorraine.fr

  • Intervenant(s) :

    Mohamed BELMAHI
    Laurent BOUVOT
    Ludovic DE POUCQUES


Objectifs

Ce stage de trois jours s’adresse aux techniciens et ingénieurs du milieu industriel et académique qui ont à mettre en œuvre des procédés de dépôt sous vide.
Cette formation donne les bases indispensables à une bonne compréhension des différents processus conduisant à la formation de films minces et vise à donner l’essentiel des connaissances nécessaires à la mise en œuvre des différents procédés de dépôt physique.

Pré-requis

Niveau Bac+2 /+3 en physique expérimentale, académique ou une équivalence acquise lors du parcours professionnel, plus particulièrement dans l’une au moins des spécialités suivantes : génie des procédés, physico-chimie, physique des milieux dilués, matériaux.

Programme

Cours théoriques : 1,25 jours

  • Les processus physiques, thermiques, sputtering, différents types de dépôts (corps simples et dépôts réactifs), scénario de croissance : de l’adsorption à la formation du film
  • Évaporation thermique, bombardement électronique
  • Procédés assistés par plasma
    PVD (incluant PVD simple, réactive, magnétron)
  • Procédés assistés par faisceaux d’ions
  • IBAD, Ion Plating
  • PLD
  • Epitaxie par jet moléculaire

Travaux pratiques : 1,75 jours

  • Réalisation de dépôt par évaporation
  • PVD magnétron réactive en salle blanche
  • Epitaxie par jet moléculaire

Les TP seront organisés sur l’appareillage tube DAUM de l’Institut Jean Lamour. Sur ce tube ultravide de 70 m sont greffés un grand nombre de moyens de croissance (3 sputtering, 1 ALD, 1 PLD, 1 MBE quaternaire, 1 MBE oxyde, 1 MBE semi-conducteur, 1 MBE organique) et de caractérisation (XPS, Auger, STM, AFM, Kerr, photoémission résolue en spin, microscope électronique avec analyse chimique, analyse optique).
4 TP sont proposés :

  • MBE + RHEDD + STM + XPS/Auger,
  • Pulvérisation cathodique,
  • Ablation Laser, 4-Atomic layer Deposition (ALD).

Les TP sont modulables et adaptables n fonction des souhaits des stagiaires.

Nombre de participants LIMITÉ (manipulation en salle blanche).